中国积极扶植自有半导体产业，以NAND Flash为发展主力的长江存储的武汉厂已完成兴建，近期陆续导入机台设备，部分业界担忧，中国厂商崛起恐将为下半年持续跌价的NAND Flash市场增添不确定乱流。长江存储总经理杨士宁表示，64层3D NAND将于2019年进入量产，但作为市场新进者，长江存储推出产品的目标是要能获利，未来将会遵守市场秩序。

长江存储旗下武汉厂于4月举行装机，并宣布首条3D储存型快闪存储器(NAND Flash)生产线即将启动量产，杨士宁指出，2018年32层3D NAND进入量产，虽然产品已经相当成熟了，若要短期冲量是很简单的事情，但依照产业现况，成本架构并没有竞争力，故32层NAND产线只会投入小量生产，重心将会集中于下一代的64层3D NAND产品，并采用自主研发的3D NAND快闪存储器架构Xtacking，近期已有工程样品顺利推出。

杨士宁表示，日前他曾亲自前往美国快闪存储器高峰会(FMS)展示了公司自主研发的Xtacking新技术之外，同时更具有一项明确的任务，就是要告诉业界，长江存储不是要做山寨产品，内部研发都是兢兢业业、老老实实地做实验，产品实验次数高达500~1,000次才能过关，希望能带来技术创新以及为产业带来贡献。

杨士宁进一步指出，目前NAND Flash技术存在着挑战，由于受到存储器阵列影响，外围电路面积较大，因而导致存储增叠密度受到限制，且研发周期和生产周期将延长，产品进入市场时间也会拖长，较不利于产业竞争力。然而透过Xtacking的新架构，其64层3D NAND阵列密度堪比业界同级最高，甚至业界推出的96层技术，仅比Xtacking的64层略高约15%密度，且研发周期将可减少3个月，而生产周期也大幅缩短20%，将可用很快的速度推进市场，方式是先将存储器阵列先做完，再根据市场或客户要求再进行CMOS生产，届时每1~2个月就有新应用推出市场。

据指出，由于32层3D NAND产量规模较小，短期内产品获利仍呈现亏损，不过长江存储规划64层3D NAND可望于2019年第4季进入量产，内部将以产品毛利率由红转黑为目标，未来单月产能将可达到10万片。

随着长江存储3D NAND产线开始起跑，杨士宁在参加深圳举办的中国闪存市场峰会(CFMS 2018)时强调，长江存储希望与业界互相学习，与产业界成为同一个团队，因此长江存储不是出来砸场子的，并希望第二代64层 3D NAND将能尽快量产推出，对于营运财务带来正面贡献。