“NAND Flash存储器的价格刚刚跌破了两年前（2016年）的价格，现在NAND Flash价格下跌的还不是很离谱，仅仅跌破两年前的价格而已。” 资深存储行业人士日前向集微网记者表示，NAND Flash价格未来还有进一步下探的空间，即使其价格再跌20%，也不足为奇。

 
来源：中国闪存市场ChinaFlashMarket

今年以来，NAND Flash价格持续下滑的趋势。据中国闪存市场ChinaFlashMarket数据显示，截止至2018年8月27日，NAND Flash价格指数已累计下滑超过40%，NAND Flash每GB价格下探至0.13美金，基本已回到了2016年涨价时期的价格水平。

为什么会跌破两年前价格？

自2016年开始，全球各大闪存芯片厂商纷纷开始技术升级，由2D NAND转向3D NAND技术工艺；但3D NAND因为是新技术，再加之生产设备紧缺，3D NAND实际量产的时间迟于预期时间。而在NAND技术转换期，NAND Flash市场产能供不应求，NAND Flash价格出现了有史以来最大且持续最长的上涨周期。  
据中国闪存市场ChinaFlashMarket数据显示，2017年上半年，受NAND Flash缺货影响，SSD价格自2016年Q2开始涨价，主流120GB、240GB TLC SSD价格均累积年涨幅达46%，消费类每GB销售价格突破了0.3美金；2017下半年eMMC TLC 32GB价格由8.9美金上涨至11美金，累计上涨23.6%；64GB价格则从16.8美金上涨至19.4美金，累计上涨15.5%。eMCP 8+8价格则从8.8美金上涨至10美金，上涨13.6%。

在NAND Flash市场，2017年由于市场供货紧缺的状况未完全缓解，闪存价格一直上涨。但到2018年，随着3D NAND技术发展，三星已开始量产96层3D NAND，今年下半年东芝/西部数据将量产96层QLC，美光和英特尔也开始量产64层3D QLC以及96层3D NAND，NAND Flash价格大幅回落。

“NAND Flash的市场需求是不断在增长，当供给超过需求的时候，价格肯定就不一样。”深圳市得一微电子有限责任公司市场总监罗挺向集微网表示，刚开始3D NAND良率只有20-30%，当良率到80-90%时，供给不足的问题就可以解决，当然这还不包括大厂都在不断的投建新产能。

再加之，3D NAND容量不断的翻倍，原来是从24层到36层，现在是96层3D NAND都已经量产了，每次技术升级层数增加后，容量也在扩大，这几方面因素结合起来的话，NAND Flash市场的供货就很充足，甚至是超份额供给。

当然，需要指出的是，在2020年之前，国产的3D NAND不会对市场价格产生影响。现在NAND Flash降价是因为主流的存储厂商充分供给，引发的主动降价，这跟国内厂商的3D NAND将要量产并无关联，现在FLASH供给量正处于历史高峰期。  

罗挺表示，当FLASH供给充足的时候，整个市场就想做不一样的产品，现在FLASH降价，谁也不敢把货囤在手上，什么产品好卖就去做什么，如果只做一款产品，出货量不大，风险就很大。 

而为了降低风险，eMMC好卖存储芯片设计厂商就做eMMC，UFS在移动终端市场发展快就去做UFS。所以在FLASH价格下滑的趋势下，包括得一微电子在内的存储芯片设计厂商都需要有差异化的商业模式。毕竟，光卖情怀是没有用的，一定是要给客户带来实际的价值，才能长久地活下去。 

目前，NAND Flash的价格刚跌破两年前的价格，如果把时间拉长来看，未来闪存产品价格将会进一步下跌，但全球整个闪存市场营业额还会不断上涨，只是产品单价会持续往下降。

资深存储行业人士表示，1GB内存跌破1元人民币是一个供给关键价位点。两年前，1GB内存售价预计在6毛钱左右，现在已经跌破两年前的价格，当然这个价格只是一个参考价，不同型号、不同厂家的产品都是有差异。
 
罗挺表示，从宏观来看，现在NAND Flash的价格已经是历史最低点，当然后面更低。受闪存芯片降价影响，SSD也呈现出大幅下降，其中消费类SATA SSD也跌回2年前价位，且创历史新低。 

决胜于新一轮周期回转

NAND Flash的价格其实是像期货一样具有市场波动性，这是一个周期性的行业，像DRAM过去十年的发展都是这样，现在三星在存储市场能有这么大的产能，最重要的原因就是当存储市场下跌非常大的时候，厂商一般会砍掉部分产线，三星正好恰恰相反，进行投资扩产，业界称之为逆周期投资。 

三星投资DRAM 内存时，DRAM 价格从1984年初的4 美元/片一路下滑到1985 年的30 美分/片。此时，三星的生产成本是1.3 美元/片。到1986 年年底，三星半导体累计亏损达3 亿美元，股权资本完全亏空。DRAM 市场不景气，Intel 等美国公司退出该市场，日本公司缩减投资规模和生产能力。但三星逆周期投资，继续扩大产能，并开发更大容量的DRAM，数年后，行业出现转折，DRAM价格开始回升。

2017年，在存储芯片市场缺货涨价的行情中，三星一年就赚回了过去十年的投资；三星也在2017年首次从英特尔手中夺走行业第一宝座，成为全球最大芯片制造商。

如今，正逢存储芯片市场开始大跌，DRAM价格已经下跌20-30%，NAND Flash已经下跌到一个新的价位，这对于国内正加大投资以及即将迎来量产的存储厂商来说是不是一个不太好的信号？ 

罗挺表示，现在整个存储芯片市场开始下跌，国内厂商加大投资，未必是一件坏事。假如，海外厂商在存储市场下跌时不愿去投资，国内厂商加大投资，那么未来中国将有更多存储芯片产能，真正存储芯片市场决胜的时间也将在下一个周期。

事实上，内存市场和闪存市场有一定的关联性，不管是存储介质或是存储主控芯片也好，它的成败不在一年两年，而是一个长期的过程，一个企业要好这个事情，不可能是做好一款爆品之后，就没有后顾之忧。

这从行业转移的过程中就能看出一些端倪。原本DRAM就不是三星发明的，最早是由英特尔发明的，英特尔做的也最早，但现在三星做的最大，三星之所以能做大，恰恰是因为三星在行业下跌是最敢去投资。

在行业逆周期时敢于投资，未来国内存储厂商就有可能会像三星一样，一年就赚回了过去十年的投资；如果在行情下跌的时候不愿投资，那么在存储周期回转的时候，又怎么能获得产能，怎么有机会实现超越领跑。所以，在这一轮存储芯片市场周期调整时，正是国内厂商投资布局的机会，下一个周期回转，将是国内存储芯片厂商决胜的机会。