长江存储作为NAND Flash产业的新晋者，8月初发布其突破性技术—Xtacking™，在2018年9月19日的（中国-深圳）CFMS峰会上，长江存储CEO杨士宁博士将以“创新Xtacking™架构：释放3D NAND潜能”为题发表演讲，首次在国内彰显全新Xtacking™架构为3D NAND带来前所未有的I/O高性能，更高的存储密度，以及更短的产品上市周期。

在过去的20年里，杨博士曾担任XMC的CEO，SMIC中芯国际的COO/CTO，GlobalFoundries公司CTO/SVP。在此之前，杨博士在英特尔波特兰的研发部门（PTD）超过10年。拥有伦斯勒理工学院硕士和博士学位，拥有20多项专利和发表过30多篇论文。

杨博士认为，随着3D NAND技术迅速成为企业级闪存的标准，并在各类应用中得到广泛应用，面向更高性能，更高存储密度和更低成本的持续创新和发展从而变得至关重要。 

传统的3D NAND工艺由于受到高温、应力等复杂因素，折衷影响到性能的表现。不仅如此，将CMOS与外围电路在同一片晶圆上并排加工也浪费了硅的面积并增加了冗余的工艺。长江存储创新Xtacking™架构成功地克服了这些挑战，释放3D NAND的全部潜力。Xtacking™将为存储密度的持续增长注入新的动力，同时将为闪存带来前所未有的更高性能，更低的成本，以及更短的开发周期和产品上市周期。挑战和机遇并存，长江存储将迎难而上，满足智能手机，SSD和物联网应用领域不断增长的需求。

如今，长江存储不仅在3D NAND技术上有了新的突破，总投资额240亿美元的武汉存储器基地已正式投产少量的32层3D NAND，而且启动了二期扩产项目，预计总投资17.8亿美元，这是中国自主创新，实现芯片国产化路上新的里程碑，同时填补了中国在芯片制造上的空白。根据规划，预计长江存储将在2019年量产64层128Gb 3D NAND，同步研发128层256Gb 3D NAND，将不断缩短与国际大厂在技术工艺方面的差距，并在NAND Flash市场占据一席之地。

另一方面，自从2014年国家出台《国家集成电路产业发展推进纲要》，半导体产业就作国家重点发展领域。在国家政策扶持下，大基金和资本投资动作频频，并集合国内上下游供应链资源加强在制造、设计、封装/测试、设备、生态建设等各环节的合作与布局。

在2018年9月19日的CFMS峰会上，大基金/华芯投资总裁路军先生将以“资本市场如何推动中国存储产业发展”为题发表演讲。

此外，元禾华创投委会主席陈大同先生将以“中国存储市场创业和投资之路”为题发表演讲，与业内人士一起分享，从资本层面，中国存储产业发展所展现的新契机，以及中国资本如何帮助企业一起成长，助力中国存储产业的发展。