伴随着大数据以及云时代的来临，人们对于各种数据的应用需求也日渐增高，无处不在的智能设备与无处不在的海量数据存储持续上升。在9月19日深圳举办的 “2018中国闪存市场峰会（China Flash Market Summit）〞上，慧荣科技（Silicon Motion）展示全系列PCIe NVMe SSD控制芯片解决方案。

其中，有专为企业及数据中心应用所设计的SM2270双模控制芯片方案，提供高性能、大容量、高可靠性和低延迟设计，并支持Open-Channel的应用，同时也可搭载Turnkey固件以支持标准NVMe协议；此外，还展出针对消费级SSD所设计的高效能低功耗PCIe SSD 控制芯片: SM2262EN / SM2263EN / SM2263XT。

 
SM2270适用于企业和数据中心存储PCIe SSD的解决方案

SM2270控制芯片为数据中心存储提供了完整的解决方案，慧荣该控制芯片支持目前各原厂主流的64层/72层3D QLC和TLC NAND，支持PCIe Gen3 x8通道NVMe 1.3规范和16个闪存通道设计，完整的数据保护及纠错机制，高达16TB的SSD容量，客制的固件设计，满足了数据中心应用的需求。SM2270控制芯片最大的特点就是其完整的架构，在单个主控芯片中内置了三个Arm Cortex-R5双核处理器，确保SSD能够低延迟、高性能的运行。顺序读取最高可达3.2GB/s，顺序写入最高可达2.8GB/s，随机读取高达 800K IOPS，随机写入高达 200K IOPS。

 
SM2270控制芯片支持慧荣专属的第6代NANDXtend™技术，将纠错功能和机器学习算法进行了整合，可以提高整个SSD的寿命周期和数据可靠性，使得数据保存更加稳定持久，即使在高温环境下也不受影响，此外，SM2270支持断电保护功能，可防止因意外断电导致数据丢失的风险。

SM2262EN：适用于超高速PCIe SSD的解决方案

SM2262EN超高速SSD控制芯片解决方案，在此次峰会上，慧荣分别展示了搭载美光96层3D NAND和东芝64层3D TLC的样品，紧跟原厂3D技术工艺的发展。SM2262EN支持PCIe Gen3 x4通道NVMe 1.3规范和8个闪存通道设计。以最新独有的固件技术，有效提升读写效能，最大顺序读取速度高达3.5GB/s，顺序写入速度达3.0GB/s，随机读写则高达420K IOPS和420K IOPS。更采用目前最先进的低功耗设计，无论是在待机还是在工作状态下，均展现超低功耗，有效减少30%的功耗，满足专业用户追求超高效能和低功耗的严苛要求。

 
SM2263EN/SM2263XT：适用于主流PCIe SSD的解决方案

SM2263EN和SM2263XT支持PCIe Gen3 x4通道NVMe 1.3规范和4个NAND通道设计，并提供完整固件设计，满足主流市场的需求。SM2263XT是一款DRAM-Less SSD控制芯片，支持主机内存缓冲（HMB）架构，有效运用主机的DRAM，可提升读写速度，并可封装成适用于平板电脑的小尺寸BGA SSD（11.5mm x 13mm）；SM2263XT最大顺序读取速度达2.4GB/s，最大顺序写入速度达1.7GB/s，符合消费级SSD的性价比需求，成为主流巿场新标配。

全系列PCIe SSD控制芯片支持主流及最新3D闪存以及慧荣独有专利的NANDXtend™技术，包括端到端资料路径保护，提供最完整及最稳定的资料保护，满足存储设备所需的高效稳定的需求，并将纠错功能和机器学习算法进行了整合，可以提高整个SSD的寿命周期和数据可靠性，使得数据保存更加稳定持久。